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英诺赛科发布60V GaN，为PD3.1提供更多选择

INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与 40V InnoGaN（INN040FQ043A）封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V，确保更大功率输出，同时实现小体积，低损耗，高频高效等优势。该款产品同样满足工业级可靠性要求，主要应用于高频DC-DC转换器、笔记本电脑充电器、移动电源等应用场景。

产品特性

采用先进的超低导通电阻低压技术

极低的栅极电荷

超小封装 FCQFN 3mm x 4mm

零反向恢复充电电量

产品优势

FOM值为MOSFET 的 1/2，适用于高频高功率密度的应用场景；

在 1.2MHz 高频下，与市场上最佳的硅器件相比，该芯片功率损耗可降低约 1.2W，效率提高1%；

更低温升、更小占板面积。

应用领域

高频DC-DC转换器

笔记本充电器

移动电源